A coreana SK Hynix parece ter conseguido combinar chips DRAM e NAND em um único módulo de memória altamente eficiente. Este avanço no campo da RAM pode aumentar significativamente o desempenho da IA dos nossos smartphones e tablets.
A notícia chega até nós da mídia ETNews. O fabricante coreano de memória SK Hynix estaria na origem de um avanço particularmente promissor para a memória incorporada em nossos smartphones e tablets. Aprendemos que a empresa conseguiu combinar chips heterogêneos do tipo DRAM e NAND em um único módulo de memória de alta eficiência.
Nesse caso, esse avanço seria possibilitado pelo uso da nova arquitetura híbrida High-Bandwidth Storage (HBS) da SK Hynix, mas também pelo uso de seu novo processo Vertical Wire Fan-Out (VFO), que possibilita empilhar verticalmente e interconectar até 16 camadas de memória DRAM e NAND.
Módulos capazes de impulsionar a IA em nossos smartphones?
Esta pilha vertical de chips DRAM e NAND tem a vantagem particular de reduzir a perda de sinal, mas também a distância de transmissão. A conexão entre os diferentes chips empilhados uns sobre os outros é, na verdade, feita em linha reta, e não com a fiação sinuosa dos módulos tradicionais.
A SK Hynix também fala em requisitos de cabeamento 4,6 vezes menores com esta nova tecnologia, consumo de energia 5% menor e dissipação de calor 1,4% melhorada.
Este método de montagem permitiria obter um módulo heterogéneo altamente eficiente, capaz de reduzir significativamente o tempo de processamento de dados e aumentar a sua largura de banda, sendo ainda mais eficiente em termos de energia.
Novos chips esperados em grandes volumes
Como aponta NotebookCheck, esse novo tipo de memória lembra a memória HBM usada massivamente em GPUs dedicadas ao mercado de servidores e data centers. A sua utilização nas próximas gerações de smartphones e tablets deverá, portanto, melhorar significativamente o desempenho da IA.
A boa notícia também está em termos de produção. Este novo tipo de memória foi projetado desde o início para evitar métodos de produção caros, como o Through-Silicon Via (TSV). Isto deverá, portanto, permitir uma produção mais fácil e acessível, para permitir que estes novos módulos invadam o mercado. Também sabemos que a SK Hynix desenvolveu sua experiência em módulos de design de VFO, fabricando-os em pequenos volumes… para um determinado Apple Vision Pro.