Nvidia interfere espetacularmente no desenvolvimento da memória flash “Next Gen” – Frandroid

A Nvidia está em toda parte, até mesmo no desenvolvimento da próxima geração de módulos NAND, esses chips de memória flash encontrados principalmente em SSDs. Aprendemos esta semana no Seoul Economic Daily que a Samsung Electronics se uniu à Nvidia para acelerar o desenvolvimento de seus chips de próxima geração… graças à IA.

Mais precisamente, as duas empresas trabalham agora em conjunto num sistema de inteligência artificial capaz de impulsionar consideravelmente a investigação e desenvolvimento de memórias NAND com baixíssimo consumo de energia, através da exploração de materiais ferroelétricos. O desempenho da próxima geração de chips de memória dependerá em parte dos seus resultados nesta área.

P&D da Samsung impulsionada pela IA da Nvidia

Neste caso, SEDaily explica que uma equipe de pesquisa conjunta composta pelo Semiconductor Research Institute da Samsung Electronics, Nvidia, mas também pelo Georgia Institute of Technology, desenvolveu um modelo de IA chamado PINO (para “ Operador Neural Informado pela Física “). Este modelo constitui um avanço no mundo industrial e no campo de P&D. E por um bom motivo, é capaz de analisar o desempenho de dispositivos NAND ferroelétricos 10.000 vezes mais rápido do que os métodos analíticos convencionais permitem.

Agora você entende por que estávamos conversando com você sobre um método capaz de “ aumentar consideravelmente » P&D nesta área.

Quanto ao uso de materiais ferroelétricos para futuros chips NAND, em vez do silício tradicional, isso também é particularmente interessante. Esses materiais são de fato capazes de manter a polarização (compreender a separação das cargas positivas e negativas) sem uma alimentação elétrica contínua. Isto, portanto, os torna particularmente adequados para o projeto de módulos NAND de consumo muito baixo.

Porém, a utilização destes novos materiais ferroelétricos requer extensa pesquisa para entender quais são suas características precisas para o uso pretendido (módulos NAND), quais tensões eles podem suportar neste contexto e qual quantidade de dados podem reter. É justamente para fazer essas análises que entra em ação a IA desenvolvida pela Nvidia e Samsung.

Até agora, os investigadores da Samsung Electronics utilizavam design assistido por computador, juntamente com ferramentas de análise que exigiam quase 60 horas de cálculo por operação. Ainda segundo o Seoul Economic Daily, a equipe de pesquisa da Samsung e da Nvidia conseguiu reduzir esse tempo de processamento… para menos de 10 segundos. Como ? Usando inteligência artificial treinada usando as leis inabaláveis ​​da física.

Em última análise, esta pesquisa poderá levar à fabricação de módulos de memória flash NAND capazes de consumir até 96% menos energia do que os módulos atuais. Os benefícios poderiam, portanto, ser espetaculares para a indústria.